关于我们 | 联系我们

库存查询

• 不推荐用于新设计，因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。

产品规格

封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	TSMT6（SC-95）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	3nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	215 毫欧 @ 1.5A，4.5V
FET 类型	2 个 P 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1.5A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	270pF @ 10V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 1mA
漏源电压（Vdss）	20V
功率 - 最大值	1.25W
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	QS6J1CT

封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  Rohm Semiconductor 封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 TSMT6（SC-95）  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 TSMT6（SC-95）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 TSMT6（SC-95）  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 TSMT6（SC-95）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3nC @ 4.5V  Rohm Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3nC @ 4.5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 215 毫欧 @ 1.5A，4.5V  Rohm Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 215 毫欧 @ 1.5A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 215 毫欧 @ 1.5A，4.5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 215 毫欧 @ 1.5A，4.5V   FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Rohm Semiconductor FET 类型 2 个 P 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.5A  Rohm Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.5A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.5A  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.5A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 10V  Rohm Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 10V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 10V   FET 功能 逻辑电平门  Rohm Semiconductor FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA  Rohm Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA   漏源电压（Vdss） 20V  Rohm Semiconductor 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 1.25W  Rohm Semiconductor 功率 - 最大值 1.25W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.25W  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.25W