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产品规格

封装/外壳	8-SMD，扁平引线
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	TSMT8
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	40nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	29 毫欧 @ 4.5A，4.5V
FET 类型	2 个 P 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	4.5A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4200pF @ 6V
FET 功能	逻辑电平栅极，1.5V 驱动
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 1mA
漏源电压（Vdss）	12V
功率 - 最大值	550mW
关键词

产品资料

数据列表	QS8J12
标准包装	3,000

封装/外壳 8-SMD，扁平引线  Rohm Semiconductor 封装/外壳 8-SMD，扁平引线  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SMD，扁平引线  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SMD，扁平引线   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Rohm Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Rohm Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 TSMT8  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 TSMT8  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 TSMT8  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 TSMT8   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V  Rohm Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 29 毫欧 @ 4.5A，4.5V  Rohm Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 29 毫欧 @ 4.5A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 29 毫欧 @ 4.5A，4.5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 29 毫欧 @ 4.5A，4.5V   FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Rohm Semiconductor FET 类型 2 个 P 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A  Rohm Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4200pF @ 6V  Rohm Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4200pF @ 6V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4200pF @ 6V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4200pF @ 6V   FET 功能 逻辑电平栅极，1.5V 驱动  Rohm Semiconductor FET 功能 逻辑电平栅极，1.5V 驱动  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极，1.5V 驱动  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极，1.5V 驱动   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA  Rohm Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA   漏源电压（Vdss） 12V  Rohm Semiconductor 漏源电压（Vdss） 12V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 12V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 12V   功率 - 最大值 550mW  Rohm Semiconductor 功率 - 最大值 550mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 550mW  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 550mW