R6076ENZ1C9,Rohm Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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R6076ENZ1C9
R6076ENZ1C9 -
MOSFET N-CH 600V 76A TO247
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
制造商产品编号:
R6076ENZ1C9
仓库库存编号:
R6076ENZ1C9-ND
描述:
MOSFET N-CH 600V 76A TO247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 76A(Tc) 120W(Tc) TO-247
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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R6076ENZ1C9产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Rohm Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
260nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
42 毫欧 @ 44.4A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
76A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
6500pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
功率耗散(最大值)
120W(Tc)
漏源电压(Vdss)
600V
关键词
产品资料
数据列表
R6076ENZ1
标准包装
450
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
0705430001
仓库库存编号:
WM4800-ND
别名:070543-0001
070543-0001-C
0705430001-C
705-43-0001
705-43-0001-P
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70543-0001
70543-0001-C
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