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RAQ045P01TCR - 

MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6

  • 不提供增值包装；备有另选包装。
Rohm Semiconductor RAQ045P01TCR
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
RAQ045P01TCR
仓库库存编号：
RAQ045P01TCRCT-ND
描述：
MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 12V 4.5A（Ta） 600mW（Ta） TSMT6（SC-95）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

RAQ045P01TCR产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  TSMT6（SC-95）  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  -8V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  40nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  30 毫欧 @ 4.5A，4.5V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  1.5V，4.5V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  4.5A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  4200pF @ 6V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1V @ 1mA  
  功率耗散（最大值）  600mW（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  12V  
关键词         

产品资料
数据列表 RAQ045P01
标准包装 1
其它名称 RAQ045P01TCRCT

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