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RDN100N20FU6 - 

MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

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Rohm Semiconductor RDN100N20FU6
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
RDN100N20FU6
仓库库存编号：
RDN100N20FU6-ND
描述：
MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 N 沟道 10A（Ta） 35W（Tc） TO-220FN
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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RDN100N20FU6产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3 整包  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  TO-220FN  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  30nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  360 毫欧 @ 5A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  10A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  543pF @ 10V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 1mA  
  功率耗散（最大值）  35W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  200V  
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产品资料
标准包装 500

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