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产品规格

封装/外壳	TO-247-3
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-40°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-247N
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	58ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Power - Max	144W
Current - Collector (Ic) (Max)	40A
测试条件	400V，20A，10 欧姆，15V
开关能量	-
Current - Collector Pulsed (Icm)	60A
IGBT 类型	沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.1V @ 15V，20A
25°C 时 Td（开/关）值	22ns/75ns
栅极电荷	40nC
关键词

产品资料

数据列表	RGT40TS65D
标准包装	30

封装/外壳 TO-247-3  Rohm Semiconductor 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 通孔  Rohm Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Rohm Semiconductor 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Rohm Semiconductor 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Rohm Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-247N  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 TO-247N  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247N  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247N   输入类型 标准  Rohm Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 58ns  Rohm Semiconductor 反向恢复时间（trr） 58ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 58ns  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 58ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  Rohm Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V   Power - Max 144W  Rohm Semiconductor Power - Max 144W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 144W  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 144W   Current - Collector (Ic) (Max) 40A  Rohm Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 40A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 40A  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 40A   测试条件 400V，20A，10 欧姆，15V  Rohm Semiconductor 测试条件 400V，20A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，20A，10 欧姆，15V  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，20A，10 欧姆，15V   开关能量 -  Rohm Semiconductor 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 60A  Rohm Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 60A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 60A  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 60A   IGBT 类型 沟槽型场截止  Rohm Semiconductor IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，20A  Rohm Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，20A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，20A  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，20A   25°C 时 Td（开/关）值 22ns/75ns  Rohm Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 22ns/75ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 22ns/75ns  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 22ns/75ns   栅极电荷 40nC  Rohm Semiconductor 栅极电荷 40nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 40nC  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 40nC