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产品规格

封装/外壳	TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	LPDS（TO-263S）
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	40ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Power - Max	65W
Current - Collector (Ic) (Max)	8A
测试条件	400V，4A，50欧姆，15V
开关能量	-
Current - Collector Pulsed (Icm)	12A
IGBT 类型	沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.1V @ 15V，4A
25°C 时 Td（开/关）值	17ns/69ns
栅极电荷	13.5nC
关键词

产品资料

数据列表	RGT8NS65D
标准包装	1
其它名称	RGT8NS65DGTLCT

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Rohm Semiconductor 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Rohm Semiconductor 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Rohm Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 LPDS（TO-263S）  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 LPDS（TO-263S）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 LPDS（TO-263S）  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 LPDS（TO-263S）   输入类型 标准  Rohm Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 40ns  Rohm Semiconductor 反向恢复时间（trr） 40ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 40ns  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 40ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  Rohm Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V   Power - Max 65W  Rohm Semiconductor Power - Max 65W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 65W  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 65W   Current - Collector (Ic) (Max) 8A  Rohm Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 8A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 8A  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 8A   测试条件 400V，4A，50欧姆，15V  Rohm Semiconductor 测试条件 400V，4A，50欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，4A，50欧姆，15V  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，4A，50欧姆，15V   开关能量 -  Rohm Semiconductor 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 12A  Rohm Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 12A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 12A  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 12A   IGBT 类型 沟槽型场截止  Rohm Semiconductor IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，4A  Rohm Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，4A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，4A  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，4A   25°C 时 Td（开/关）值 17ns/69ns  Rohm Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 17ns/69ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 17ns/69ns  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 17ns/69ns   栅极电荷 13.5nC  Rohm Semiconductor 栅极电荷 13.5nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 13.5nC  Rohm Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 13.5nC