RHK003N06T146,Rohm Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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RHK003N06T146
RHK003N06T146 -
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-346
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
制造商产品编号:
RHK003N06T146
仓库库存编号:
RHK003N06T146CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-346
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 200mW(Ta) SMT3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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RHK003N06T146产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Rohm Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SMT3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
6nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1 欧姆 @ 300mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
300mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
33pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
标准包装
1
其它名称
RHK003N06T146CT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V .1A SOT416
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3
型号:
2SK3019TL
仓库库存编号:
2SK3019TLCT-ND
别名:2SK3019TLCT
无铅
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Rohm Semiconductor
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详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 200mA 300mW Surface Mount SMT6
型号:
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仓库库存编号:
SM6K2T110CT-ND
别名:SM6K2T110CT
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3
型号:
RJU002N06T106
仓库库存编号:
RJU002N06T106CT-ND
别名:RJU002N06T106CT
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3
型号:
RJU003N03T106
仓库库存编号:
RJU003N03T106CT-ND
别名:RJU003N03T106CT
无铅
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Rohm Semiconductor
KIT MOSFET 5EA OF 13 VALUES
详细描述:MOSFETs Kit 70 pcs - 5 ea of 14 values Surface Mount
型号:
846-1002-KIT
仓库库存编号:
846-1002-KIT-ND
别名:Q5042525
无铅
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制造商 Rohm Semiconductor
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