RJK005N03T146,Rohm Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
RJK005N03T146
RJK005N03T146 -
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
制造商产品编号:
RJK005N03T146
仓库库存编号:
RJK005N03T146CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 200mW(Ta) SMT3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
RJK005N03T146产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Rohm Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
SMT3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
4nC @ 4V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
580 毫欧 @ 500mA,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
500mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
60pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 1mA
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
标准包装
1
其它名称
RJK005N03T146CT
RJK005N03T146您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
TE Connectivity AMP Connectors
CONN BARRIER STRIP 2CIRC 0.325"
详细描述:电路 0.325"(8.26mm) 阻隔块 连接器, 螺钉,带紧固板
型号:
4DB-P108-02
仓库库存编号:
A98472-ND
别名:2-1437667-4
2-1437667-4-ND
214376674
A98472
无铅
搜索
Harwin Inc.
SIL VERTICAL PC TAIL PIN HEADER
详细描述:6 位 针座,可切割 连接器 0.100"(2.54mm) 通孔 锡
型号:
M20-9990646
仓库库存编号:
952-2270-ND
别名:952-2270
M209990646
无铅
搜索
Allegro MicroSystems, LLC
SENSOR CURRENT HALL 30A AC/DC
详细描述:Current Sensor 30A Channel Hall Effect, Differential Bidirectional 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
型号:
ACS725LLCTR-30AB-T
仓库库存编号:
620-1725-1-ND
别名:620-1725-1
无铅
搜索
Microchip Technology
IC MCU 32BIT 1MB FLASH 64TQFP
详细描述:MIPS32? M-Class 微控制器 IC PIC? 32MZ 32-位 200MHz 1MB(1M x 8) 闪存 64-TQFP(10x10)
型号:
PIC32MZ1024EFH064-I/PT
仓库库存编号:
PIC32MZ1024EFH064-I/PT-ND
无铅
搜索
RJK005N03T146相关搜索
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Rohm Semiconductor 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Rohm Semiconductor
安装类型 表面贴装
Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 150°C(TJ)
Rohm Semiconductor 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)
系列 -
Rohm Semiconductor 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
Rohm Semiconductor 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 不可用于新设计
Rohm Semiconductor 零件状态 不可用于新设计
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计
供应商器件封装 SMT3
Rohm Semiconductor 供应商器件封装 SMT3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SMT3
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SMT3
技术 MOSFET(金属氧化物)
Rohm Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±12V
Rohm Semiconductor Vgs(最大值) ±12V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±12V
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 4V
Rohm Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 4V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 4V
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 4V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 580 毫欧 @ 500mA,4.5V
Rohm Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 580 毫欧 @ 500mA,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 580 毫欧 @ 500mA,4.5V
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 580 毫欧 @ 500mA,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
Rohm Semiconductor 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
FET 类型 N 沟道
Rohm Semiconductor FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 500mA(Ta)
Rohm Semiconductor 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 500mA(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 500mA(Ta)
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 500mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 60pF @ 10V
Rohm Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 60pF @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 60pF @ 10V
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 60pF @ 10V
FET 功能 -
Rohm Semiconductor FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA
Rohm Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA
功率耗散(最大值) 200mW(Ta)
Rohm Semiconductor 功率耗散(最大值) 200mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 200mW(Ta)
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 200mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 30V
Rohm Semiconductor 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号