RK7002BT116,Rohm Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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RK7002BT116
RK7002BT116 -
MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT-23
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
制造商产品编号:
RK7002BT116
仓库库存编号:
RK7002BT116CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT-23
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 250mA(Ta) 200mW(Ta) SST3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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RK7002BT116产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Rohm Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
SST3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
2.4 欧姆 @ 250mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
250mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
15pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 1mA
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
标准包装
1
其它名称
RK7002BT116CT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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别名:HBF109CT
HBF109CT-ND
HFB109CT
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