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RRH140P03TB1
RRH140P03TB1 -
MOSFET P-CH 30V 14A SOP8
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
制造商产品编号:
RRH140P03TB1
仓库库存编号:
RRH140P03TB1CT-ND
描述:
MOSFET P-CH 30V 14A SOP8
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 14A(Ta) 650mW(Ta) 8-SOP
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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RRH140P03TB1产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Rohm Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
8-SOP
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
80nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
7 毫欧 @ 14A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
14A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
8000pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
功率耗散(最大值)
650mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
RRH140P03
标准包装
1
其它名称
RRH140P03TB1CT
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