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产品规格

封装/外壳	3-SMD，扁平引线
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	TUMT3
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	2.1nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	390 毫欧 @ 1A，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
FET 类型	P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	150pF @ 10V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 1mA
功率耗散（最大值）	800mW（Ta）
漏源电压（Vdss）	20V
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	RTF010P02TLCT

封装/外壳 3-SMD，扁平引线  Rohm Semiconductor 封装/外壳 3-SMD，扁平引线  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 3-SMD，扁平引线  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 3-SMD，扁平引线   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 TUMT3  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 TUMT3  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TUMT3  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TUMT3   技术 MOSFET（金属氧化物）  Rohm Semiconductor 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±12V  Rohm Semiconductor Vgs（最大值） ±12V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±12V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±12V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V  Rohm Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 390 毫欧 @ 1A，4.5V  Rohm Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 390 毫欧 @ 1A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 390 毫欧 @ 1A，4.5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 390 毫欧 @ 1A，4.5V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V  Rohm Semiconductor 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V   FET 类型 P 沟道  Rohm Semiconductor FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）  Rohm Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 150pF @ 10V  Rohm Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 150pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 150pF @ 10V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 150pF @ 10V   FET 功能 -  Rohm Semiconductor FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA  Rohm Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA   功率耗散（最大值） 800mW（Ta）  Rohm Semiconductor 功率耗散（最大值） 800mW（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 800mW（Ta）  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 800mW（Ta）   漏源电压（Vdss） 20V  Rohm Semiconductor 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 20V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 20V