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RTQ020N03TR
RTQ020N03TR -
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
制造商产品编号:
RTQ020N03TR
仓库库存编号:
RTQ020N03CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT6(SC-95)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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RTQ020N03TR产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
制造商
Rohm Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
TSMT6(SC-95)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
3.3nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
125 毫欧 @ 2A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
135pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 1mA
功率耗散(最大值)
1.25W(Ta)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
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数据列表
RTQ020N03
标准包装
1
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