RU1J002YNTCL,Rohm Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

RU1J002YNTCL - 

MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F

Rohm Semiconductor RU1J002YNTCL
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
RU1J002YNTCL
仓库库存编号：
RU1J002YNTCLCT-ND
描述：
MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） UMT3F
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

RU1J002YNTCL产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-85  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  UMT3F  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±8V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  -  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  0.9V，4.5V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  200mA（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  26pF @ 10V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  800mV @ 1mA  
  功率耗散（最大值）  150mW（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  50V  
关键词         

产品资料
数据列表 RU1J002YN
标准包装 1
其它名称 RU1J002YNTCLCT

RU1J002YNTCL您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

RU1J002YNTCL相关搜索

封装/外壳 SC-85  Rohm Semiconductor 封装/外壳 SC-85  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 SC-85  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 SC-85   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Rohm Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 UMT3F  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 UMT3F  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 UMT3F  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 UMT3F   技术 MOSFET（金属氧化物）  Rohm Semiconductor 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±8V  Rohm Semiconductor Vgs（最大值） ±8V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±8V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±8V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Rohm Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V  Rohm Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0.9V，4.5V  Rohm Semiconductor 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0.9V，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0.9V，4.5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0.9V，4.5V   FET 类型 N 沟道  Rohm Semiconductor FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）  Rohm Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 26pF @ 10V  Rohm Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 26pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 26pF @ 10V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 26pF @ 10V   FET 功能 -  Rohm Semiconductor FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 1mA  Rohm Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 1mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 1mA   功率耗散（最大值） 150mW（Ta）  Rohm Semiconductor 功率耗散（最大值） 150mW（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 150mW（Ta）  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 150mW（Ta）   漏源电压（Vdss） 50V  Rohm Semiconductor 漏源电压（Vdss） 50V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 50V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 50V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号