RV2C014BCT2CL,Rohm Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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RV2C014BCT2CL
RV2C014BCT2CL -
MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
制造商产品编号:
RV2C014BCT2CL
仓库库存编号:
RV2C014BCT2CLCT-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 700mA(Ta) 400mW(Ta) DFN1006-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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RV2C014BCT2CL产品属性
产品规格
封装/外壳
3-XFDFN
制造商
Rohm Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
DFN1006-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
300 毫欧 @ 1.4A, 4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
700mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
100pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 100μA
功率耗散(最大值)
400mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
RV2C014BC
标准包装
1
其它名称
RV2C014BCT2CLCT
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