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RYC002N05T316 - 

0.9V DRIVE NCH SILICON MOSFET

Rohm Semiconductor RYC002N05T316
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
RYC002N05T316
仓库库存编号：
RYC002N05T316CT-ND
描述：
0.9V DRIVE NCH SILICON MOSFET
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 350mW（Tc） SST3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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RYC002N05T316产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SST3  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±8V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  -  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  4.5V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  200mA（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  26pF @ 10V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  800mV @ 1mA  
  功率耗散（最大值）  350mW（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  50V  
关键词         

产品资料
数据列表 RYC002N05
标准包装 1
其它名称 RYC002N05T316CT

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