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SCT2H12NZGC11 - 

MOSFET N-CH 1700V 3.7A

Rohm Semiconductor SCT2H12NZGC11
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SCT2H12NZGC11
仓库库存编号：
SCT2H12NZGC11-ND
描述：
MOSFET N-CH 1700V 3.7A
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 N 沟道 3.7A（Tc） 35W（Tc） TO-3PFM
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SCT2H12NZGC11产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-3PFM，SC-93-3  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  175°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-3PFM  
  技术  SiCFET（碳化硅）  
  Vgs（最大值）  +22V，-6V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  14nC @ 18V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  1.5 欧姆 @ 1.1A，18V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  18V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  3.7A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  184pF @ 800V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 900μA  
  功率耗散（最大值）  35W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  1700V  
关键词         

产品资料
数据列表 SCT2H12NZ
标准包装 450

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