SH8J66TB1,Rohm Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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SH8J66TB1
SH8J66TB1 -
MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
制造商产品编号:
SH8J66TB1
仓库库存编号:
SH8J66TB1CT-ND
描述:
MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 9A 2W Surface Mount 8-SOP
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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SH8J66TB1产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Rohm Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-SOP
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
35nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
18.5 毫欧 @ 9A,10V
FET 类型
2 个 P 沟道(双)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3000pF @ 10V
FET 功能
逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
漏源电压(Vdss)
30V
功率 - 最大值
2W
关键词
产品资料
标准包装
1
其它名称
SH8J66TB1CT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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TRANS PNP 40V 0.2A SOT23
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号:
MMBT3906LT1G
仓库库存编号:
MMBT3906LT1GOSCT-ND
别名:MMBT3906LT1GOSCT
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2P-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 9A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
AO4805
仓库库存编号:
785-1055-1-ND
别名:785-1055-1
无铅
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制造商 Rohm Semiconductor
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