SH8M41TB1,Rohm Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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SH8M41TB1 - 

MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8

  • 不推荐用于新设计，因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Rohm Semiconductor SH8M41TB1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SH8M41TB1
仓库库存编号：
SH8M41TB1CT-ND
描述：
MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array N and P-Channel 80V 3.4A, 2.6A 2W Surface Mount 8-SOP
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

SH8M41TB1产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  8-SOP  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  9.2nC @ 5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  130 毫欧 @ 3.4A，10V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  3.4A，2.6A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  600pF @ 10V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.5V @ 1mA  
  漏源电压（Vdss）  80V  
  功率 - 最大值  2W  
关键词         

产品资料
数据列表 SH8M41
标准包装 1
其它名称 SH8M41TB1CT

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