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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	8-SOP
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	3.5nC @ 5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	83 毫欧 @ 3.5A，10V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	3.5A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	140pF @ 10V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 1mA
漏源电压（Vdss）	30V
功率 - 最大值	2W
关键词

产品资料

标准包装	2,500

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Rohm Semiconductor 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Rohm Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 8-SOP  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 8-SOP  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOP  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOP   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.5nC @ 5V  Rohm Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.5nC @ 5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.5nC @ 5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.5nC @ 5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 83 毫欧 @ 3.5A，10V  Rohm Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 83 毫欧 @ 3.5A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 83 毫欧 @ 3.5A，10V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 83 毫欧 @ 3.5A，10V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Rohm Semiconductor FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.5A  Rohm Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.5A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.5A  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.5A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 140pF @ 10V  Rohm Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 140pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 140pF @ 10V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 140pF @ 10V   FET 功能 逻辑电平门  Rohm Semiconductor FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA  Rohm Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA   漏源电压（Vdss） 30V  Rohm Semiconductor 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 2W  Rohm Semiconductor 功率 - 最大值 2W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2W  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2W