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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	8-SOP
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	5.2nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	1.63 欧姆 @ 1.5A，10V
FET 类型	N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	3A，2.5A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	180pF @ 25V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 1mA
漏源电压（Vdss）	250V
功率 - 最大值	650mW
关键词

产品资料

数据列表	SP8M70
标准包装	2,500

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Rohm Semiconductor 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Rohm Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 8-SOP  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 8-SOP  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOP  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOP   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.2nC @ 10V  Rohm Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.2nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.2nC @ 10V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.2nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.63 欧姆 @ 1.5A，10V  Rohm Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.63 欧姆 @ 1.5A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.63 欧姆 @ 1.5A，10V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.63 欧姆 @ 1.5A，10V   FET 类型 N 和 P 沟道  Rohm Semiconductor FET 类型 N 和 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A，2.5A  Rohm Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A，2.5A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A，2.5A  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A，2.5A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V  Rohm Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V   FET 功能 标准  Rohm Semiconductor FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA  Rohm Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA   漏源电压（Vdss） 250V  Rohm Semiconductor 漏源电压（Vdss） 250V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 250V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 250V   功率 - 最大值 650mW  Rohm Semiconductor 功率 - 最大值 650mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 650mW  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 650mW