关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	8-SOP
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	7.2nC @ 5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	30 毫欧 @ 6A，10V
FET 类型	N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	6A，4.5A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	520pF @ 10V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 1mA
漏源电压（Vdss）	30V
功率 - 最大值	2W
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	SP8M8TBCT

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Rohm Semiconductor 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Rohm Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 8-SOP  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 8-SOP  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOP  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOP   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.2nC @ 5V  Rohm Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.2nC @ 5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.2nC @ 5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.2nC @ 5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 6A，10V  Rohm Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 6A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 6A，10V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 6A，10V   FET 类型 N 和 P 沟道  Rohm Semiconductor FET 类型 N 和 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A，4.5A  Rohm Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A，4.5A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A，4.5A  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A，4.5A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 520pF @ 10V  Rohm Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 520pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 520pF @ 10V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 520pF @ 10V   FET 功能 逻辑电平门  Rohm Semiconductor FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA  Rohm Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA   漏源电压（Vdss） 30V  Rohm Semiconductor 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 2W  Rohm Semiconductor 功率 - 最大值 2W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2W  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2W