TT8M3TR,Rohm Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
>
TT8M3TR
TT8M3TR -
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
制造商产品编号:
TT8M3TR
仓库库存编号:
TT8M3CT-ND
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.5A, 2.4A 1W Surface Mount 8-TSST
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
TT8M3TR产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SMD,扁平引线
制造商
Rohm Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-TSST
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
3.6nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
72 毫欧 @ 2.5A,4.5V
FET 类型
N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2.5A,2.4A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
260pF @ 10V
FET 功能
逻辑电平栅极,1.5V 驱动
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA
漏源电压(Vdss)
20V
功率 - 最大值
1W
关键词
产品资料
数据列表
TT8M3
标准包装
1
其它名称
TT8M3TRCT
TT8M3TRCT-ND
TT8M3TR您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Texas Instruments
IC BUS TRANSCEIVER 8BIT 20TSSOP
详细描述:Transceiver, Non-Inverting Element 8 Bit per Element Push-Pull Output 20-TSSOP
型号:
SN74AHCT245PWR
仓库库存编号:
296-1118-1-ND
别名:296-1118-1
无铅
搜索
Texas Instruments
IC VOLT-LEVEL TRANSLATOR US8
详细描述:Voltage Level Translator Bidirectional Circuit 2 Channel 24Mbps US8
型号:
TXS0102DCUR
仓库库存编号:
296-21931-1-ND
别名:296-21931-1
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC TXRX RS232 3MBPS 16TQFN
详细描述:全 收发器 1/1 RS232 16-TQFN(5x5)
型号:
MAX13237EETE+
仓库库存编号:
MAX13237EETE+-ND
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IC MUX UHS 2-INP NONINV 6-MCRPAK
详细描述:Multiplexer 1 x 2:1 6-MicroPak
型号:
NC7SZ157L6X
仓库库存编号:
NC7SZ157L6XFSCT-ND
别名:NC7SZ157L6XFSCT
无铅
搜索
Linear Technology
DC DC CONVERTER 0.8-15V
详细描述:非隔离 PoL 模块 DC/DC 转换器 1 输出 0.8 ~ 15 V 5A 3.4V - 60V 输入
型号:
LTM8073EY#PBF
仓库库存编号:
LTM8073EY#PBF-ND
搜索
TT8M3TR相关搜索
封装/外壳 8-SMD,扁平引线
Rohm Semiconductor 封装/外壳 8-SMD,扁平引线
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SMD,扁平引线
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SMD,扁平引线
制造商 Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor
安装类型 表面贴装
Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 150°C(TJ)
Rohm Semiconductor 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 150°C(TJ)
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 150°C(TJ)
系列 -
Rohm Semiconductor 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -
包装 剪切带(CT)
Rohm Semiconductor 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Rohm Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
供应商器件封装 8-TSST
Rohm Semiconductor 供应商器件封装 8-TSST
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-TSST
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-TSST
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.5V
Rohm Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.5V
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 72 毫欧 @ 2.5A,4.5V
Rohm Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 72 毫欧 @ 2.5A,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 72 毫欧 @ 2.5A,4.5V
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 72 毫欧 @ 2.5A,4.5V
FET 类型 N 和 P 沟道
Rohm Semiconductor FET 类型 N 和 P 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A,2.4A
Rohm Semiconductor 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A,2.4A
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A,2.4A
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A,2.4A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 10V
Rohm Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 10V
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 10V
FET 功能 逻辑电平栅极,1.5V 驱动
Rohm Semiconductor FET 功能 逻辑电平栅极,1.5V 驱动
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极,1.5V 驱动
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极,1.5V 驱动
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
Rohm Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
漏源电压(Vdss) 20V
Rohm Semiconductor 漏源电压(Vdss) 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 20V
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 20V
功率 - 最大值 1W
Rohm Semiconductor 功率 - 最大值 1W
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1W
Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1W
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号