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产品规格

封装/外壳	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	UMT5
晶体管类型	2 个 NPN 预偏压式（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	80 @ 10mA，5V
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 250μA，5mA
频率 - 跃迁	250MHz
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	2.2k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	47k
功率 - 最大值	150mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
关键词

产品资料

数据列表	EMG11, UMG11N
标准包装	1
其它名称	UMG11NCT

封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353  Rohm Semiconductor 封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -   包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Rohm Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 在售  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 在售   供应商器件封装 UMT5  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 UMT5  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 UMT5  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 UMT5   晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式（双）  Rohm Semiconductor 晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式（双）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V  Rohm Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA  Rohm Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA   频率 - 跃迁 250MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 250MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 250MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k  Rohm Semiconductor 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  Rohm Semiconductor 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k   功率 - 最大值 150mW  Rohm Semiconductor 功率 - 最大值 150mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 150mW  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 150mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Rohm Semiconductor 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V