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US6M1TR
US6M1TR -
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
制造商产品编号:
US6M1TR
仓库库存编号:
US6M1CT-ND
描述:
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 1.4A, 1A 1W Surface Mount TUMT6
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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US6M1TR产品属性
产品规格
封装/外壳
6-SMD,扁平引线
制造商
Rohm Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
TUMT6
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
2nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
240 毫欧 @ 1.4A,10V
FET 类型
N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.4A,1A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
70pF @ 10V
FET 功能
逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
漏源电压(Vdss)
30V,20V
功率 - 最大值
1W
关键词
产品资料
数据列表
US6M1
标准包装
1
其它名称
US6M1CT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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别名:NTJD4105CT1GOSCT
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型号:
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仓库库存编号:
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别名:US6M11CT
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