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VDZT2R7.5B
VDZT2R7.5B -
DIODE ZENER 7.5V 100MW VMD2
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
制造商产品编号:
VDZT2R7.5B
仓库库存编号:
VDZT2R7.5BCT-ND
描述:
DIODE ZENER 7.5V 100MW VMD2
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Zener Diode 100mW ±2% Surface Mount VMD2
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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VDZT2R7.5B产品属性
产品规格
封装/外壳
2-SMD,扁平引线
制造商
Rohm Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
VMD2
容差
±2%
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
500nA @ 4V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
-
Power - Max
100mW
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
7.5V
阻抗(最大值)(Zzt)
30 Ohms
关键词
产品资料
数据列表
VDZ7.5B
标准包装
1
其它名称
VDZT2R7.5BCT
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制造商 Rohm Semiconductor
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安装类型 表面贴装
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二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
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二极管 - 齐纳 - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
Rohm Semiconductor 零件状态 在售
二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 VMD2
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二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 VMD2
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容差 ±2%
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二极管 - 齐纳 - 单 容差 ±2%
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不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 4V
Rohm Semiconductor 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 4V
二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 4V
Rohm Semiconductor 二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 4V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf) -
Rohm Semiconductor 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) -
二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) -
Rohm Semiconductor 二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) -
Power - Max 100mW
Rohm Semiconductor Power - Max 100mW
二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 100mW
Rohm Semiconductor 二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 100mW
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 7.5V
Rohm Semiconductor 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 7.5V
二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 7.5V
Rohm Semiconductor 二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 7.5V
阻抗(最大值)(Zzt) 30 Ohms
Rohm Semiconductor 阻抗(最大值)(Zzt) 30 Ohms
二极管 - 齐纳 - 单 阻抗(最大值)(Zzt) 30 Ohms
Rohm Semiconductor 二极管 - 齐纳 - 单 阻抗(最大值)(Zzt) 30 Ohms
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