CIB21P260NE,Samsung Electro-Mechanics America, Inc.,滤波器,铁氧体磁珠和芯片
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CIB21P260NE
CIB21P260NE -
FERRITE BEAD 26 OHM 0805 1LN
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
制造商产品编号:
CIB21P260NE
仓库库存编号:
1276-6342-1-ND
描述:
FERRITE BEAD 26 OHM 0805 1LN
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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CIB21P260NE产品属性
产品规格
封装/外壳
0805(2012 公制)
制造商
Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 125°C
系列
CIB21
包装
剪切带(CT)
等级
-
大小/尺寸
0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
零件状态
在售
线路数
1
直流电阻(DCR)(最大)
10 毫欧
高度(最大值)
0.043"(1.10mm)
额定电流(最大)
2A
滤波器类型
-
不同频率时的阻抗
26 欧姆 @ 100MHz
关键词
产品资料
数据列表
CIB/CIM Series
CIB, CIM Series Catalog
RoHS指令信息
CIB, CIM, CIC, CIS RoHS Compliance
标准包装
1
其它名称
1276-6342-1
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
FERRITE BEAD 60 OHM 0805 1LN
型号:
CIC21P600NE
仓库库存编号:
1276-6375-1-ND
别名:1276-6375-1
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC FLASH 128MBIT 104MHZ 8SOIC
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb (16M x 8) SPI 8-SOIC
型号:
W25Q128FWSIG
仓库库存编号:
W25Q128FWSIG-ND
无铅
搜索
Macronix
IC FLASH 256MBIT 104MHZ 16SOP
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb (32M x 8) SPI 16-SOP
型号:
MX25L25635FMI-10G
仓库库存编号:
1092-1149-ND
别名:1092-1149
6711L-16MB10IUJC99
无铅
搜索
Macronix
IC FLASH 256MBIT 104MHZ 8WSON
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb (32M x 8) SPI 8-WSON(8x6)
型号:
MX25L25635FZ2I-10G
仓库库存编号:
1092-1150-ND
别名:1092-1150
6711L-087Z10IYJC99
6711L-087Z10IYJC9W
无铅
搜索
Murata Electronics North America
5OHM 25% 1.0A DCR=0.02OHM 0805
型号:
BLM21BB050SZ1D
仓库库存编号:
490-14400-1-ND
别名:490-14400-1
无铅
搜索
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封装/外壳 0805(2012 公制)
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 封装/外壳 0805(2012 公制)
铁氧体磁珠和芯片 封装/外壳 0805(2012 公制)
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 铁氧体磁珠和芯片 封装/外壳 0805(2012 公制)
制造商 Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 制造商 Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
铁氧体磁珠和芯片 制造商 Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 铁氧体磁珠和芯片 制造商 Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
安装类型 表面贴装
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 安装类型 表面贴装
铁氧体磁珠和芯片 安装类型 表面贴装
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 铁氧体磁珠和芯片 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 125°C
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 工作温度 -55°C ~ 125°C
铁氧体磁珠和芯片 工作温度 -55°C ~ 125°C
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 铁氧体磁珠和芯片 工作温度 -55°C ~ 125°C
系列 CIB21
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 系列 CIB21
铁氧体磁珠和芯片 系列 CIB21
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 铁氧体磁珠和芯片 系列 CIB21
包装 剪切带(CT)
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 包装 剪切带(CT)
铁氧体磁珠和芯片 包装 剪切带(CT)
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 铁氧体磁珠和芯片 包装 剪切带(CT)
等级 -
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铁氧体磁珠和芯片 等级 -
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大小/尺寸 0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
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零件状态 在售
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 零件状态 在售
铁氧体磁珠和芯片 零件状态 在售
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 铁氧体磁珠和芯片 零件状态 在售
线路数 1
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 线路数 1
铁氧体磁珠和芯片 线路数 1
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 铁氧体磁珠和芯片 线路数 1
直流电阻(DCR)(最大) 10 毫欧
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 直流电阻(DCR)(最大) 10 毫欧
铁氧体磁珠和芯片 直流电阻(DCR)(最大) 10 毫欧
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高度(最大值) 0.043"(1.10mm)
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铁氧体磁珠和芯片 高度(最大值) 0.043"(1.10mm)
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额定电流(最大) 2A
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 额定电流(最大) 2A
铁氧体磁珠和芯片 额定电流(最大) 2A
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 铁氧体磁珠和芯片 额定电流(最大) 2A
滤波器类型 -
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 滤波器类型 -
铁氧体磁珠和芯片 滤波器类型 -
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 铁氧体磁珠和芯片 滤波器类型 -
不同频率时的阻抗 26 欧姆 @ 100MHz
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 不同频率时的阻抗 26 欧姆 @ 100MHz
铁氧体磁珠和芯片 不同频率时的阻抗 26 欧姆 @ 100MHz
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