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产品规格

封装/外壳	TO-220-3 整包
制造商	Sanken
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-220F
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	13 毫欧 @ 25A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	50A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2700pF @ 10V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250μA
功率耗散（最大值）	35W（Tc）
漏源电压（Vdss）	50V
关键词

产品资料

数据列表	General Catalog FKV550T
标准包装	500
其它名称	FKV550T DK

封装/外壳 TO-220-3 整包  Sanken 封装/外壳 TO-220-3 整包  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包   制造商 Sanken  Sanken 制造商 Sanken  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Sanken  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Sanken   安装类型 通孔  Sanken 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  Sanken 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Sanken 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 散装   Sanken 包装 散装   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 散装   Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 散装    零件状态 在售  Sanken 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-220F  Sanken 供应商器件封装 TO-220F  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220F  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220F   技术 MOSFET（金属氧化物）  Sanken 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Sanken Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Sanken 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 25A，10V  Sanken 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 25A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 25A，10V  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 25A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Sanken 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  Sanken FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）  Sanken 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 10V  Sanken 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 10V  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 10V   FET 功能 -  Sanken FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  Sanken 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA   功率耗散（最大值） 35W（Tc）  Sanken 功率耗散（最大值） 35W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 35W（Tc）  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 35W（Tc）   漏源电压（Vdss） 50V  Sanken 漏源电压（Vdss） 50V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 50V  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 50V