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产品规格

封装/外壳	TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
制造商	Sanken
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-263-3
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	53 毫欧 @ 22A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	45A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2000pF @ 25V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 1mA
功率耗散（最大值）	95W（Tc）
漏源电压（Vdss）	200V
关键词

产品资料

数据列表	SKP202
标准包装	1,600

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Sanken 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB   制造商 Sanken  Sanken 制造商 Sanken  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Sanken  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Sanken   安装类型 表面贴装  Sanken 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Sanken 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Sanken 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Sanken 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Sanken 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-263-3  Sanken 供应商器件封装 TO-263-3  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-263-3  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-263-3   技术 MOSFET（金属氧化物）  Sanken 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±30V  Sanken Vgs（最大值） ±30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±30V  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±30V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Sanken 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 53 毫欧 @ 22A，10V  Sanken 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 53 毫欧 @ 22A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 53 毫欧 @ 22A，10V  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 53 毫欧 @ 22A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Sanken 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  Sanken FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 45A（Ta）  Sanken 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 45A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 45A（Ta）  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 45A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2000pF @ 25V  Sanken 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2000pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2000pF @ 25V  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2000pF @ 25V   FET 功能 -  Sanken FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 1mA  Sanken 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 1mA  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 1mA   功率耗散（最大值） 95W（Tc）  Sanken 功率耗散（最大值） 95W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 95W（Tc）  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 95W（Tc）   漏源电压（Vdss） 200V  Sanken 漏源电压（Vdss） 200V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 200V  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 200V