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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
制造商	SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	8-SOP
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	21nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	23 毫欧 @ 8A，4.5V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	8A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1530pF @ 10V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
漏源电压（Vdss）	20V
功率 - 最大值	2.3W
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	869-1165-1

封装/外壳 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 封装/外壳 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）   制造商 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 制造商 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation   安装类型 表面贴装  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 8-SOP  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 供应商器件封装 8-SOP  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOP  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOP   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 4.5V  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 4.5V  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 23 毫欧 @ 8A，4.5V  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 23 毫欧 @ 8A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 23 毫欧 @ 8A，4.5V  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 23 毫欧 @ 8A，4.5V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1530pF @ 10V  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1530pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1530pF @ 10V  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1530pF @ 10V   FET 功能 逻辑电平门  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -   漏源电压（Vdss） 20V  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 2.3W  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 功率 - 最大值 2.3W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2.3W  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2.3W