2N3019,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

2N3019 - 

TRANS NPN 80V 1A TO-39

  • 已过时的产品。
STMicroelectronics 2N3019
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
2N3019
仓库库存编号：
497-2634-5-ND
描述：
TRANS NPN 80V 1A TO-39
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 100MHz 800mW Through Hole TO-39
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

2N3019产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-205AD，TO-39-3 金属罐  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  通孔  
  工作温度  175°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-39  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  100 @ 150mA，10V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  80V  
  Power - Max  800mW  
  电流 - 集电极截止（最大值）  10nA（ICBO）  
  Current - Collector (Ic) (Max)  1A  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  500mV @ 50mA，500mA  
  频率 - 跃迁  100MHz  
关键词         

产品资料
标准包装 500
其它名称 497-2634-5

2N3019您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

2N3019相关搜索

封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 175°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 175°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 175°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 175°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-39  STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-39  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-39  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-39   晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 150mA，10V  STMicroelectronics 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 150mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 150mA，10V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 150mA，10V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V   Power - Max 800mW  STMicroelectronics Power - Max 800mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 800mW  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 800mW   电流 - 集电极截止（最大值） 10nA（ICBO）  STMicroelectronics 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA（ICBO）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 1A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 50mA，500mA  STMicroelectronics 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 50mA，500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 50mA，500mA  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 50mA，500mA   频率 - 跃迁 100MHz  STMicroelectronics 频率 - 跃迁 100MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号