关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	TO-220-3
制造商	STMicroelectronics
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-220AB
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	30 @ 3A，4V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Power - Max	40W
电流 - 集电极截止（最大值）	1mA
Current - Collector (Ic) (Max)	7A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	3.5V @ 3A，7A
频率 - 跃迁	4MHz
关键词

产品资料

标准包装	50
其它名称	497-2613-5

封装/外壳 TO-220-3  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-220-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-220AB  STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-220AB  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220AB  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220AB   晶体管类型 PNP  STMicroelectronics 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 3A，4V  STMicroelectronics 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 3A，4V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 3A，4V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 3A，4V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V   Power - Max 40W  STMicroelectronics Power - Max 40W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 40W  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 40W   电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  STMicroelectronics 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA   Current - Collector (Ic) (Max) 7A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 7A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 7A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 7A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3.5V @ 3A，7A  STMicroelectronics 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3.5V @ 3A，7A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3.5V @ 3A，7A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3.5V @ 3A，7A   频率 - 跃迁 4MHz  STMicroelectronics 频率 - 跃迁 4MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 4MHz  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 4MHz