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产品规格

封装/外壳	TO-204AA，TO-3
制造商	STMicroelectronics
安装类型	底座安装
工作温度	200°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-3
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	80 @ 1A，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	250V
Power - Max	250W
电流 - 集电极截止（最大值）	5μA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	17A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	3V @ 800mA，8A
频率 - 跃迁	25MHz
关键词

产品资料

标准包装	100
其它名称	497-8739

封装/外壳 TO-204AA，TO-3  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-204AA，TO-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-204AA，TO-3  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-204AA，TO-3   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 底座安装  STMicroelectronics 安装类型 底座安装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 底座安装  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 底座安装   工作温度 200°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 200°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 200°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 200°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 散装   STMicroelectronics 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装   STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-3  STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-3  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-3   晶体管类型 PNP  STMicroelectronics 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 1A，5V  STMicroelectronics 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 1A，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 1A，5V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 1A，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 250V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 250V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 250V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 250V   Power - Max 250W  STMicroelectronics Power - Max 250W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 250W  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 250W   电流 - 集电极截止（最大值） 5μA（ICBO）  STMicroelectronics 电流 - 集电极截止（最大值） 5μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 5μA（ICBO）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 5μA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 17A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 17A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 17A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 17A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3V @ 800mA，8A  STMicroelectronics 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3V @ 800mA，8A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3V @ 800mA，8A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3V @ 800mA，8A   频率 - 跃迁 25MHz  STMicroelectronics 频率 - 跃迁 25MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 25MHz  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 25MHz