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产品规格

封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
制造商	STMicroelectronics
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-3P
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	80 @ 1A，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	230V
Power - Max	150W
电流 - 集电极截止（最大值）	5μA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	15A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	3V @ 800mA，8A
频率 - 跃迁	30MHz
关键词

产品资料

标准包装	30
其它名称	2STA1962-ND 497-7056-5

封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-3P  STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-3P  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-3P  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-3P   晶体管类型 PNP  STMicroelectronics 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 1A，5V  STMicroelectronics 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 1A，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 1A，5V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 1A，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 230V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 230V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 230V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 230V   Power - Max 150W  STMicroelectronics Power - Max 150W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 150W  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 150W   电流 - 集电极截止（最大值） 5μA（ICBO）  STMicroelectronics 电流 - 集电极截止（最大值） 5μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 5μA（ICBO）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 5μA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 15A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 15A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 15A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 15A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3V @ 800mA，8A  STMicroelectronics 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3V @ 800mA，8A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3V @ 800mA，8A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3V @ 800mA，8A   频率 - 跃迁 30MHz  STMicroelectronics 频率 - 跃迁 30MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 30MHz  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 30MHz