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产品规格

封装/外壳	TO-243AA
制造商	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-89
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	140 @ 100mA，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Power - Max	1.4W
电流 - 集电极截止（最大值）	1mA
Current - Collector (Ic) (Max)	2A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	250mV @ 100mA，1A
频率 - 跃迁	50MHz
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	497-11303-1

封装/外壳 TO-243AA  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-243AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-243AA  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-243AA   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-89  STMicroelectronics 供应商器件封装 SOT-89  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-89  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-89   晶体管类型 PNP  STMicroelectronics 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 100mA，2V  STMicroelectronics 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 100mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 100mA，2V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 100mA，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V   Power - Max 1.4W  STMicroelectronics Power - Max 1.4W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.4W  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.4W   电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  STMicroelectronics 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA   Current - Collector (Ic) (Max) 2A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 100mA，1A  STMicroelectronics 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 100mA，1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 100mA，1A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 100mA，1A   频率 - 跃迁 50MHz  STMicroelectronics 频率 - 跃迁 50MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 50MHz  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 50MHz