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产品规格

封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3 长体
制造商	STMicroelectronics
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-92L
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	150 @ 500mA，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	25V
Power - Max	1.5W
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	5A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	500mV @ 40mA，3.5A
频率 - 跃迁	120MHz
关键词

产品资料

标准包装	2,000
其它名称	497-10888

封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 长体  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 长体  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 长体  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 长体   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 散装   STMicroelectronics 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装   STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-92L  STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-92L  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92L  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92L   晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 500mA，2V  STMicroelectronics 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 500mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 500mA，2V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 500mA，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V   Power - Max 1.5W  STMicroelectronics Power - Max 1.5W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.5W  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.5W   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  STMicroelectronics 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 5A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 5A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 5A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 40mA，3.5A  STMicroelectronics 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 40mA，3.5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 40mA，3.5A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 40mA，3.5A   频率 - 跃迁 120MHz  STMicroelectronics 频率 - 跃迁 120MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 120MHz  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 120MHz