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晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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2STN1550
2STN1550 -
TRANS NPN 50V 5A SOT-223
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
2STN1550
仓库库存编号:
497-9058-1-ND
描述:
TRANS NPN 50V 5A SOT-223
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 5A 1.6W Surface Mount SOT-223
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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2STN1550产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
制造商
STMicroelectronics
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-223
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
135 @ 2A,2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Power - Max
1.6W
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)
5A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
450mV @ 300mA,3A
频率 - 跃迁
-
关键词
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标准包装
1
其它名称
497-9058-1
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
制造商 STMicroelectronics
STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics
STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics
安装类型 表面贴装
STMicroelectronics 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装
STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 150°C(TJ)
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
STMicroelectronics 零件状态 在售
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 SOT-223
STMicroelectronics 供应商器件封装 SOT-223
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-223
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晶体管类型 NPN
STMicroelectronics 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 135 @ 2A,2V
STMicroelectronics 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 135 @ 2A,2V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 135 @ 2A,2V
STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 135 @ 2A,2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Power - Max 1.6W
STMicroelectronics Power - Max 1.6W
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.6W
STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.6W
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
STMicroelectronics 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
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Current - Collector (Ic) (Max) 5A
STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 5A
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 5A
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不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 450mV @ 300mA,3A
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 450mV @ 300mA,3A
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -
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