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产品规格

封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
制造商	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-223
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	180 @ 1A，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Power - Max	1.6W
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	3A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	350mV @ 150mA，3A
频率 - 跃迁	100MHz
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	497-10978-1

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-223  STMicroelectronics 供应商器件封装 SOT-223  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-223  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-223   晶体管类型 PNP  STMicroelectronics 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 180 @ 1A，2V  STMicroelectronics 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 180 @ 1A，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 180 @ 1A，2V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 180 @ 1A，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V   Power - Max 1.6W  STMicroelectronics Power - Max 1.6W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.6W  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.6W   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  STMicroelectronics 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 3A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 350mV @ 150mA，3A  STMicroelectronics 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 350mV @ 150mA，3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 350mV @ 150mA，3A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 350mV @ 150mA，3A   频率 - 跃迁 100MHz  STMicroelectronics 频率 - 跃迁 100MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz