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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-23-3
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	180 @ 500mA，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Power - Max	500mW
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	1.5A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	850mV @ 200mA，2A
频率 - 跃迁	-
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	497-5685-1

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-23-3  STMicroelectronics 供应商器件封装 SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-23-3  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-23-3   晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 180 @ 500mA，2V  STMicroelectronics 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 180 @ 500mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 180 @ 500mA，2V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 180 @ 500mA，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V   Power - Max 500mW  STMicroelectronics Power - Max 500mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 500mW  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 500mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  STMicroelectronics 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 850mV @ 200mA，2A  STMicroelectronics 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 850mV @ 200mA，2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 850mV @ 200mA，2A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 850mV @ 200mA，2A   频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -