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产品规格

封装/外壳	TO-225AA，TO-126-3
制造商	STMicroelectronics
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-32
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	30 @ 10mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Power - Max	36W
电流 - 集电极截止（最大值）	100μA
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	600mV @ 200mA，2A
频率 - 跃迁	3MHz
关键词

产品资料

数据列表	BD433-38
其它有关文件	BD438 View All Specifications
标准包装	50
其它名称	497-14155-5 BD438ST BD438ST-ND

封装/外壳 TO-225AA，TO-126-3  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-225AA，TO-126-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-225AA，TO-126-3  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-225AA，TO-126-3   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件    零件状态 在售  STMicroelectronics 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-32  STMicroelectronics 供应商器件封装 SOT-32  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-32  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-32   晶体管类型 PNP  STMicroelectronics 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 10mA，5V  STMicroelectronics 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 10mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 10mA，5V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 10mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V   Power - Max 36W  STMicroelectronics Power - Max 36W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 36W  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 36W   电流 - 集电极截止（最大值） 100μA  STMicroelectronics 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA   Current - Collector (Ic) (Max) 4A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 4A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 4A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 4A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 600mV @ 200mA，2A  STMicroelectronics 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 600mV @ 200mA，2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 600mV @ 200mA，2A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 600mV @ 200mA，2A   频率 - 跃迁 3MHz  STMicroelectronics 频率 - 跃迁 3MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 3MHz  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 3MHz