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产品规格

封装/外壳	TO-225AA，TO-126-3
制造商	STMicroelectronics
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-32-3
晶体管类型	NPN - 达林顿
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	750 @ 2A，3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Power - Max	40W
电流 - 集电极截止（最大值）	500μA
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	2.8V @ 40mA，2A
频率 - 跃迁	-
关键词

产品资料

数据列表	BD6yyy
其它有关文件	BD679A View All Specifications
标准包装	50
其它名称	497-7175-5 BD679A-ND

封装/外壳 TO-225AA，TO-126-3  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-225AA，TO-126-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-225AA，TO-126-3  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-225AA，TO-126-3   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件    零件状态 在售  STMicroelectronics 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-32-3  STMicroelectronics 供应商器件封装 SOT-32-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-32-3  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-32-3   晶体管类型 NPN - 达林顿  STMicroelectronics 晶体管类型 NPN - 达林顿  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN - 达林顿  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN - 达林顿   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 750 @ 2A，3V  STMicroelectronics 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 750 @ 2A，3V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 750 @ 2A，3V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 750 @ 2A，3V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V   Power - Max 40W  STMicroelectronics Power - Max 40W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 40W  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 40W   电流 - 集电极截止（最大值） 500μA  STMicroelectronics 电流 - 集电极截止（最大值） 500μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 500μA  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 500μA   Current - Collector (Ic) (Max) 4A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 4A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 4A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 4A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 2.8V @ 40mA，2A  STMicroelectronics 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 2.8V @ 40mA，2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 2.8V @ 40mA，2A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 2.8V @ 40mA，2A   频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -