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产品规格

封装/外壳	TO-205AD，TO-39-3 金属罐
制造商	STMicroelectronics
安装类型	通孔
工作温度	200°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-39
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	40 @ 2A，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Power - Max	870mW
电流 - 集电极截止（最大值）	10μA
Current - Collector (Ic) (Max)	5A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1V @ 500mA，5A
频率 - 跃迁	100MHz
关键词

产品资料

标准包装	100
其它名称	497-2635-5

封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 200°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 200°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 200°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 200°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-39  STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-39  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-39  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-39   晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 2A，2V  STMicroelectronics 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 2A，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 2A，2V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 2A，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V   Power - Max 870mW  STMicroelectronics Power - Max 870mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 870mW  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 870mW   电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  STMicroelectronics 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA   Current - Collector (Ic) (Max) 5A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 5A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 5A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 500mA，5A  STMicroelectronics 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 500mA，5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 500mA，5A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 500mA，5A   频率 - 跃迁 100MHz  STMicroelectronics 频率 - 跃迁 100MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz