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产品规格

封装/外壳	TO-220-3 整包
制造商	STMicroelectronics
安装类型	通孔
工作温度	175°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-220AB
晶体管类型	NPN - 达林顿
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	300 @ 5A，10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	350V
Power - Max	55W
电流 - 集电极截止（最大值）	100μA
Current - Collector (Ic) (Max)	15A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1.8V @ 250mA，10A
频率 - 跃迁	-
关键词

产品资料

数据列表	BU941ZT/ZTFP, BUB941ZT
标准包装	50
其它名称	497-4641-5

封装/外壳 TO-220-3 整包  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-220-3 整包  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 175°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 175°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 175°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 175°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-220AB  STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-220AB  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220AB  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220AB   晶体管类型 NPN - 达林顿  STMicroelectronics 晶体管类型 NPN - 达林顿  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN - 达林顿  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN - 达林顿   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 5A，10V  STMicroelectronics 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 5A，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 5A，10V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 5A，10V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350V   Power - Max 55W  STMicroelectronics Power - Max 55W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 55W  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 55W   电流 - 集电极截止（最大值） 100μA  STMicroelectronics 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA   Current - Collector (Ic) (Max) 15A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 15A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 15A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 15A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.8V @ 250mA，10A  STMicroelectronics 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.8V @ 250mA，10A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.8V @ 250mA，10A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.8V @ 250mA，10A   频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -