BUL705,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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BUL705
BUL705 -
TRANS NPN 400V 5A TO-220
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
BUL705
仓库库存编号:
497-7206-5-ND
描述:
TRANS NPN 400V 5A TO-220
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 5A 80W Through Hole TO-220AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BUL705产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
STMicroelectronics
安装类型
通孔
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-220AB
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
16 @ 2A,5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400V
Power - Max
80W
电流 - 集电极截止(最大值)
250μA
Current - Collector (Ic) (Max)
5A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
800mV @ 1A,4A
频率 - 跃迁
-
关键词
产品资料
标准包装
50
其它名称
497-7206-5
BUL705-ND
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封装/外壳 TO-220-3
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3
STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3
制造商 STMicroelectronics
STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics
STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics
安装类型 通孔
STMicroelectronics 安装类型 通孔
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔
STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔
工作温度 150°C(TJ)
STMicroelectronics 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
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包装 管件
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件
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零件状态 过期
STMicroelectronics 零件状态 过期
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期
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供应商器件封装 TO-220AB
STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-220AB
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220AB
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晶体管类型 NPN
STMicroelectronics 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 16 @ 2A,5V
STMicroelectronics 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 16 @ 2A,5V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 16 @ 2A,5V
STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 16 @ 2A,5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Power - Max 80W
STMicroelectronics Power - Max 80W
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 80W
STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 80W
电流 - 集电极截止(最大值) 250μA
STMicroelectronics 电流 - 集电极截止(最大值) 250μA
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 250μA
STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 250μA
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 5A
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 5A
STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 5A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 800mV @ 1A,4A
STMicroelectronics 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 800mV @ 1A,4A
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 800mV @ 1A,4A
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -
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