关于我们 | 联系我们

库存查询

产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	D-Pak
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	25 @ 450mA，3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400V
Power - Max	30W
电流 - 集电极截止（最大值）	250μA
Current - Collector (Ic) (Max)	2.5A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1.5V @ 600mA，2A
频率 - 跃迁	-
关键词

产品资料

数据列表	BULD741
其它有关文件	BULD741 View All Specifications
标准包装	1
其它名称	497-7735-1

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  STMicroelectronics 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 D-Pak  STMicroelectronics 供应商器件封装 D-Pak  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 D-Pak  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 D-Pak   晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 450mA，3V  STMicroelectronics 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 450mA，3V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 450mA，3V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 450mA，3V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V   Power - Max 30W  STMicroelectronics Power - Max 30W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 30W  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 30W   电流 - 集电极截止（最大值） 250μA  STMicroelectronics 电流 - 集电极截止（最大值） 250μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 250μA  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 250μA   Current - Collector (Ic) (Max) 2.5A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 2.5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2.5A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2.5A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 600mA，2A  STMicroelectronics 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 600mA，2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 600mA，2A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 600mA，2A   频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -