L604C,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

L604C - 

TRANS 8NPN DARL 90V 0.4A 18DIP

  • 已过时的产品。
STMicroelectronics L604C
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
L604C
仓库库存编号:
497-6702-5-ND
描述:
TRANS 8NPN DARL 90V 0.4A 18DIP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 90V 400mA 1.8W
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

L604C产品属性


产品规格
  封装/外壳  -  
  制造商  STMicroelectronics  
  工作温度  -25°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  晶体管类型  8 NPN 达林顿  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  -  
  电流 - 集电极截止(最大值)  -  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  2V @ 500μA,300mA  
  频率 - 跃迁  -  
  功率 - 最大值  1.8W  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  400mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  90V  
关键词         

产品资料
数据列表 L603/4
标准包装 20
其它名称 497-6702-5
L604C-ND

L604C相关搜索

封装/外壳 -  STMicroelectronics 封装/外壳 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 -   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 STMicroelectronics   工作温度 -25°C ~ 150°C(TJ)  STMicroelectronics 工作温度 -25°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -25°C ~ 150°C(TJ)  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -25°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 管件    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期   晶体管类型 8 NPN 达林顿  STMicroelectronics 晶体管类型 8 NPN 达林顿  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 8 NPN 达林顿  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 8 NPN 达林顿   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) -  STMicroelectronics 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) -   电流 - 集电极截止(最大值) -  STMicroelectronics 电流 - 集电极截止(最大值) -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止(最大值) -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止(最大值) -   不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 2V @ 500μA,300mA  STMicroelectronics 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 2V @ 500μA,300mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 2V @ 500μA,300mA  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 2V @ 500μA,300mA   频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -   功率 - 最大值 1.8W  STMicroelectronics 功率 - 最大值 1.8W  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1.8W  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1.8W   电流 - 集电极(Ic)(最大值) 400mA  STMicroelectronics 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 400mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 400mA  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 400mA   电压 - 集射极击穿(最大值) 90V  STMicroelectronics 电压 - 集射极击穿(最大值) 90V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿(最大值) 90V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿(最大值) 90V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号