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产品规格

封装/外壳	TO-204AA，TO-3
制造商	STMicroelectronics
安装类型	底座安装
工作温度	200°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-3
晶体管类型	PNP - 达林顿
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	1000 @ 5A，3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Power - Max	150W
电流 - 集电极截止（最大值）	1mA
Current - Collector (Ic) (Max)	10A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	4V @ 50mA，10A
频率 - 跃迁	-
关键词

产品资料

数据列表	MJ2501, MJ3001
标准包装	100
其它名称	497-2392

封装/外壳 TO-204AA，TO-3  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-204AA，TO-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-204AA，TO-3  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-204AA，TO-3   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 底座安装  STMicroelectronics 安装类型 底座安装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 底座安装  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 底座安装   工作温度 200°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 200°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 200°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 200°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 散装   STMicroelectronics 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装   STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-3  STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-3  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-3   晶体管类型 PNP - 达林顿  STMicroelectronics 晶体管类型 PNP - 达林顿  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP - 达林顿  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP - 达林顿   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 5A，3V  STMicroelectronics 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 5A，3V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 5A，3V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 5A，3V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V   Power - Max 150W  STMicroelectronics Power - Max 150W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 150W  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 150W   电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  STMicroelectronics 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA   Current - Collector (Ic) (Max) 10A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 10A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 10A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 10A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 4V @ 50mA，10A  STMicroelectronics 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 4V @ 50mA，10A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 4V @ 50mA，10A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 4V @ 50mA，10A   频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -