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SCT30N120 - 

MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247

STMicroelectronics SCT30N120
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SCT30N120
仓库库存编号：
497-14960-ND
描述：
MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 N 沟道 40A（Tc） 270W（Tc） HiP247?
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

SCT30N120产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-247-3  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 200°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  HiP247?  
  技术  SiCFET（碳化硅）  
  Vgs（最大值）  +25V，-10V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  105nC @ 20V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  100 毫欧 @ 20A，20V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  20V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  40A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1700pF @ 400V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.6V @ 1mA（标准）  
  功率耗散（最大值）  270W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  1200V  
关键词         

产品资料
数据列表 SCT30N120
Power Management Guide Brochure
Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver
标准包装 30
其它名称 497-14960

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