SD1446,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

SD1446 - 

TRANSISTOR NPN RF BIPO UHF M113

  • 已过时的产品。
STMicroelectronics SD1446
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SD1446
仓库库存编号:
497-5458-ND
描述:
TRANSISTOR NPN RF BIPO UHF M113
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 18V 12A 183W Surface Mount M113
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

SD1446产品属性


产品规格
  封装/外壳  M113  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  200°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  M113  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  10 @ 5A,5V  
  频率 - 跃迁  -  
  功率 - 最大值  183W  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  12A  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  18V  
  增益  10dB  
  噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)  -  
关键词         

产品资料
数据列表 SD1446
标准包装 25
其它名称 497-5458
SD1446-ND

SD1446您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

SD1446相关搜索

封装/外壳 M113  STMicroelectronics 封装/外壳 M113  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 M113  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 M113   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 STMicroelectronics   安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 200°C(TJ)  STMicroelectronics 工作温度 200°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 200°C(TJ)  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 200°C(TJ)   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 散装   STMicroelectronics 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装   STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 M113  STMicroelectronics 供应商器件封装 M113  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 M113  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 M113   晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 10 @ 5A,5V  STMicroelectronics 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 10 @ 5A,5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 10 @ 5A,5V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 10 @ 5A,5V   频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 -   功率 - 最大值 183W  STMicroelectronics 功率 - 最大值 183W  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 183W  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 183W   电流 - 集电极(Ic)(最大值) 12A  STMicroelectronics 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 12A  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 12A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 12A   电压 - 集射极击穿(最大值) 18V  STMicroelectronics 电压 - 集射极击穿(最大值) 18V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 18V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 18V   增益 10dB  STMicroelectronics 增益 10dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 10dB  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 10dB   噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  STMicroelectronics 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号