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产品规格

封装/外壳	M111
制造商	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
工作温度	200°C（TJ）
系列	-
包装	托盘
零件状态	过期
供应商器件封装	M111
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	20 @ 1A，5V
频率 - 跃迁	-
功率 - 最大值	117W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	8A
电压 - 集射极击穿（最大值）	16V
增益	5.8dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	-
关键词

产品资料

数据列表	SD1488
标准包装	25

封装/外壳 M111  STMicroelectronics 封装/外壳 M111  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 M111  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 M111   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 STMicroelectronics   安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 200°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 200°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 200°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 200°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 托盘   STMicroelectronics 包装 托盘   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 托盘   STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 托盘    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 M111  STMicroelectronics 供应商器件封装 M111  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 M111  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 M111   晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 1A，5V  STMicroelectronics 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 1A，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 1A，5V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 1A，5V   频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 -   功率 - 最大值 117W  STMicroelectronics 功率 - 最大值 117W  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 117W  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 117W   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 8A  STMicroelectronics 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 8A  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 8A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 8A   电压 - 集射极击穿（最大值） 16V  STMicroelectronics 电压 - 集射极击穿（最大值） 16V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 16V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 16V   增益 5.8dB  STMicroelectronics 增益 5.8dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 5.8dB  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 5.8dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  STMicroelectronics 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -